Toepassingen
BDD-elektroden (Boron-Doped Diamond) zijn uitstekend in het afbreken van complexe organische verontreinigende stoffen in verschillende industrieën:
Farmaceutisch/chemisch afval
Bijproducten van de petrochemische industrie en de cokesindustrie
Textielverfstoffen en bruiningsmiddelen
Uitloging van stortplaatsen en restanten van explosieven
Pulp/Paper & Distillery afvalwater
- Nee, dat is niet waar. | Productnaam | Substraten | Specificaties | Eenheid |
1 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 5 × 5 × 0,55 mm | Een stuk. |
2 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 5*5*1,0 mm 2 open gaten |
Een stuk. |
3 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 5*5*1,0 mm 4 open gaten |
Een stuk. |
4 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 8*6*1 Deeltjes |
Een stuk. |
5 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 7*7*0,5 mm | Een stuk. |
6 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 10*10*0,625 mm | Een stuk. |
7 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 10*10*0,625 mm | Een stuk. |
8 | BDD-elektrode | met een breedte van niet meer dan 50 mm | 10*10*0,5 mm | Een stuk. |
Prestatievoordelen
Een hogere efficiëntie: Overtreft PbO2/Pt-elektroden bij organische afbraak met 30% lager energieverbruik
Milieuvriendelijke ozonopwekking: Ozonproductie zonder elektrolyten voor waterzuivering
Uiterst duurzaam: Korrosiebestand in agressieve chemische omgevingen
Eigenschappen van halfgeleiders
Ultrawide Bandgap: 5,47 eV (5× silicium ̊s 1,1 eV) maakt het apparaat bij hoge temperatuur/hoge frequentie mogelijk te bedienen
Warmtegeleidbaarheid: 2.200 W/mK (5x koper) vermindert de grootte/gewicht van de componenten in versterkers en lasers
Elektronenmobiliteit: Hoogste openingsmobiliteit onder breedbandmaterialen, ideaal voor millimetergolf-IC's
Technische statistieken
Johnson-index: 8.200 (tegenover 410 voor SiC)
Baliga-index: optimaal voor schakelsystemen
Negatieve elektronenaffiniteit: maakt koude kathodetoepassingen mogelijk
Belangrijkste kenmerken
Verstelbare warmtegeleiding: 1.000 ‰ 1.800 W/mK (9 × silicium ‰ 139 W/mK)
Precision Engineering:
Dikte Tolerantie: ±25 μm
Vlakheid van het oppervlak: < 4 μm/cm
Groeizijde afwerking: < 100 nm Ra
Kernlaag: < 30 nm Ra
Standaard specificaties
Afmetingen: tot Ø65 mm (aanpasbaar)
Dikte:
Ruwe: 0,3 ∼1,5 mm
Gepolijst: 0,2 ∼1,0 mm
Dichtheid: 3,5 g/cm3
Young's Modulus: 1.000 ¥ 1.100 GPa
Thermische toepassingen
met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Compacte thermische oplossingen voor lucht- en ruimtevaartelektronica
Contacteer op elk ogenblik ons